可控硅鉴别三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以判断出来。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。
控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。 淄博正高电气有限公司是多层次的组织与管理模式。河南反并联可控硅模块厂家

可控硅模块主要优点如下:
(1)采用进口方形可控硅支撑板,降低了可控硅模块的电压,功耗低,效率高,节能效果好。
(2)采用进口插入元件,保证晶闸管模块触发控制电路的可靠性。
(3)(DCB)陶瓷铜板采用独特的处理和特殊的焊接工艺,保证了晶闸管组件的焊接层无空腔,导热性好。
(4)导热绝缘包装材料具有优异的隔热防潮性能。
(5)触发控制电路、主电路和导热基板相互隔离,导热基板不带电,介电强度≥2500V,保证安全。
(6)通过输入0-10V直流控制信号,可以平滑地调节主电路的输出电压。
(7)可采用手动控制、仪表控制或微机控制。
(8)适用于电阻和电感负载。 临沂双向可控硅模块供应商淄博正高电气有限公司真诚希望与您携手、共创辉煌。

可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象,其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率极大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端,然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止,在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上,并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间,这种脉冲具有很高的幅度,很宽的频率,因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。
任何的东西都有其使用的寿命,可控硅也不例外,可控硅模块使用时间长了,它的温度就会升高,如果温度过高就容易损坏,并且降低使用寿命,这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法:
1 可控硅模块环境温度的测定:在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计,温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高,温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响,环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。
2 可控硅模块温升按下式计算:式中:Δt--可控硅模块的温升(℃)。
3 可控硅模块工作温度的测定:被测可控硅模块温升的测定,通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行,也可单独进行,被测减速机在符合规定时,读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度
诚信是企业生存和发展的根本。
双向可控硅晶闸管使用中,应特别注意以下事项:
1.灵敏度
双向可控硅是一个三端元件,但我们不再称其两极为阴阳极,而是称作T1和T2极,G为控制极,其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通,但是触发灵敏度互不相同,即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门极电流IGT是有区别的。
2.可控硅过载的保护
可控硅元件优点很多,但是它过载能力差,短时间的过流,过压都会造成元件损坏,因此为保证元件正常工作,需有条件:
(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用;
(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取;
(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些,一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以。
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单向可控硅的检测
万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 河南反并联可控硅模块厂家
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